분야

사업명

사업 목적

사업 분야 및 내용

기간/

총예산

’24년

주1

반도체

(12)

PIM인공지능반도체

핵심기술개발

신개념 PIM 인공지능 반도체 초격차 기술 확보 및 산업 생태계 구축을 통한 글로벌 기술·시장 주도권 확보

• 실리콘 공정 기반 신구조 PIM 특화 소자‧아키텍처, 신재료 기반 PIM 신소자, 신개념 PIM 소자 집적공정 기술개발

’22~’28/

 630억원

113억원

차세대 화합물반도체 핵심기술개발

차세대 화합물 반도체 에피 소재 및 소자 원천기술 개발 지원을 통해 연구 생태계 조성과 산업 활성화 유도

• 화합물 반도체 에피(Epi) 소재 및 소자 원천기술 확보로 우주, 통신, 센서 등 전략분야 핵심기술의 조기 상용화

’22~’26/ 492억원

79억원

국가반도체연구실지원핵심기술개발

글로벌 반도체 기술패권 격화에 대응하여 연구개발 및 인력양성의 기초 단위인 대학 반도체 연구실(Lab)의 역량 강화

• 반도체 전분야에서 국가 플래그십 반도체 연구실을 지정·육성하고, 특화 분야에 대한 집중연구로 기업난제 및 차세대기술의 선제적 확보

’23~’27/

 490억원

89억원

반도체설계검증인프라활성화

반도체 설계 분야의 학부생‧대학원생에게 공공팹을 활용한 마이칩 서비스를 제공하고, 장비 고도화 및 팹 연계 추진

• ➀My Chip 서비스(500nm CMOS MPW), ➁공공팹의 노후‧공백 장비 보강, ➂공공팹 연계 지원

’23~’27/

470억원

60억원

시스템반도체 융합전문인력 육성

유망 신산업 분야의 차세대 시스템반도체 제품 개발 및 시장 선점을 이끌 고급 융합전문인력 양성

• 국내 석‧박사 대상 시스템반도체 융합교육과정을 개발‧지원하는 “시스템반도체 융합전문인력 양성센터” 설치‧운영

’20~’26/

497억원

95억원

팹고도화

(나노소재기술개발 내내역 사업)

공공·대학 나노인프라의

서비스 역량 강화를 위한

장비, 인력, 시스템 고도화

• ➀나노팹 활용 지원 ➁공공·대학 팹 노후·공백 장비 보강 및 연계 시스템 구축·운영, ➂선행공정기술 개발, ➃선행공정기술 개발,

’09~계속

175억원

반도체 첨단패키징 핵심기술개발

반도체 첨단 패키징 핵심기술 확보를 통해 반도체 종합경쟁력을 제고하고, 관련 산‧학‧연 생태계 활성화 도모

• (3D 적층 패키징 소재기술) 칩을 수직으로 쌓거나 이종 집적하기 위한 핵심 원천기술 개발

• (고효율/미세피치 패키징 제조기술) 기존 공정의 혁신 및 차세대 기술개발을 통해 고효율/미세피치 패키징 제조기술 확보

• (고방열 패키징 설계·신뢰성 기술) 패키징 고방열 구조 설계 및 패키징 응력 및 열 신뢰성 진단 원천기술 개발

’24~’28/

 485억원

64억원

차세대반도체 대응 미세기판 기술개발

반도체 패키지용 기판의 국내 기업 시장 점유율 확대 및 기술 장악력 확보를 위한 차세대 첨단기판 핵심기술 확보

• 이종집적(HI)과 Fan-out 기술 등 첨단 후공정 기술 발전에 대응하는 초고밀도 미세피치 적층가능 첨단기판 기술개발

’24~’28/

 499억원

64억원

차세대반도체장비원천기술개발

첨단 반도체 공정 혁신을 통한 기술 선도를 위해 차세대 반도체 장비 원천기술을 개발하여 연구‧산업 경쟁력 강화

• 대면적・고심도 계측/검사용 SEM(전자현미경) 장비 원천기술 개발

• 첨단 패키징 스택, 검사 등 차세대 장비 원천기술 개발

’24~’29/

 480억원

25억원

반도체 글로벌 첨단 팹 연계 활용 사업

미국(NY Creates) 등 글로벌 첨단 공공팹과 국내 공공팹과의 협력을 통한 연구・테스트 지원 역량 제고

• 한미 양국 반도체 팹 연계 활용한 연구자간 첨단 기초원천기술 및 상용화기술 공동연구개발 과제 지원

• 해외 첨단 인프라 공정 및 플랫폼 기술 적용 소부장 개발과 실증평가 과제 지원

• 국내 우수대학(원) 인턴쉽, 인프라 기술인력 교류 등 인력양성 지원, 해외 현지 연구개발 활동 지원을 위한 산학연 연구자 네트워크 활성화 등 협력 거점 운영

’24~’28/

 425원

25억원

원천기술 국제협력 개발 사업(반도체)

3대 주력기술(반도체, 디스플레이) 초격차 우위 확보를 위한 공동연구 추진 및 글로벌 협력 네트워크 구축

• (반도체⸱디스플레이 국제공동연구) 반도체·디스플레이 전 분야에 대한 한-미, 한-EU 등 협력국과의 공동연구 추진

• (반도체 R&D협력센터) 기술동향 파악, 연구자 네트워크 구축 지원 및 협력 사업 발굴을 위한 미국, EU 內 협력 거점 구축·운영

’24~’28/

 333억원

44억원

반도체 첨단패키징 전문인력양성

반도체 후공정 분야 고도화에 따른 첨단 패키징 분야에 특화된 석‧박사급 전문인력 양성

• 설계/시뮬레이션, 소부장, 공정/시스템, 신뢰성/테스트/분석 등 첨단 패키징 분야별 석‧박사급 전문인력 양성 센터 구축‧지원

’24~’31/

210억원

6억원

소계

839억원

디스

플레이

(2)

미래 디스플레이 전략연구실 지원

미래 디스플레이 초격차를 위한 전략 연구 분야의 민간 수요를 기반으로 중진 연구자급 원천연구 지원 및 연구성과 도출

• 미래 디스플레이 초격차를 위한 초실감, 차세대 프리폼, 융‧복합 디스플레이 등 중점 지원

‘24~’29/

 409억원

31억원

온실리콘 디스플레이 미래 원천기술개발

디스플레이 분야의 초격차 유지를 위해 반도체+디스플레이 융합 인프라를 활용한 온실리콘* 디스플레이 기술의 선제적인 확보

＊ 실리콘 웨이퍼 기판(온실리콘) 상에 6,000ppi이상의 초고해상도 자발광형 디스플레이 구현을 위한 핵심원천기술 개발

• (온실리콘 프론트플레인 원천기술개발) 6,000ppi 이상의 초고휘도/고신뢰성 프론트플레인 소자 및 집적기술, 저전력‧광효율 향상 등을 위한 원천기술 개발을 위한 연구

• (실리콘12인치 기반 자발광형 화소제작장비 구축) 6,000ppi이상 초고해상도 자발광형 디스플레이 화소 구현 원천연구를 위해 필수 소요 실리콘12인치 웨이퍼 기판(온실리콘) 기반 장비 구축

‘24~’28/

 444억원

33억원

소계

64억원

이차

전지

(3)

한계돌파형 4대 차세대

이차전지

핵심원천기술개발

용도맞춤형(EV, ESS, UAM) 으로 리튬이온전지의 성능 한계 (안전성, 소재자립, 효율성, 내구성)를 혁신하는 4대 차세대 이차전지 원천기술 개발

• 차세대 이차전지 핵심 소재‧셀에 대한 민간수요 기반 조기 상용화 타켓형 초격차 원천 기술 확보

 - ❶120Wh/kg 수계아연전지(안전성 향상), ❷220Wh/kg 나트륨이온전지(소재자립화)를 위한 원천기술 개발

  ※ ‘24년에 안전성 향상, 소재자립화를 위한 2개 과제를 우선 착수

‘24~’29/

 334억원

35억원

원천기술 국제협력 개발 사업(이차전지)

한-미국제협력을 통한 차세대 이차전지  (나트륨이온, 리튬금속음극, 전고체전지 등) 초격차 기술 선제적 확보 및 미래기술 선도

• 차세대이차전지 한미 공동 연구과제 수행을 통한 혁신 원천기술 확보

‘24~’28/

 164억원

24억원

차세대 이차전지 전문인력양성

차세대 이차전지 분야 주도권 확보와 민간수요 증가 대응을 위한 석‧박사급 전문인력 양성 지원

• 차세대이차전지 전문인력 양성을 위한 혁신기술인재 양성 센터(혁신 원천소재 설계‧개발, 혁신 셀 설계‧고도화) 구축

‘24~’30/

130억원

10억원

소계

69억원

초고성능

컴퓨팅

(4)

슈퍼컴퓨터 개발 선도

고성능 슈퍼컴 가속기 SoC 핵심원천기술 확보를 통해 슈퍼컴퓨터의 단계적 독자개발 추진

• 슈퍼컴퓨터 초병렬프로세스의 HW‧SW 핵심기술 개발 및 프로토타입 칩(시제품) 제작

’20~’24/

 495억원

42억원

초고성능컴퓨팅 활용 고도화

초고성능컴퓨팅을 활용한 초거대 데이터·시뮬레이션 기반의 대형·집단 연구 지원을 통한 과학난제 해결 및 혁신기술 창출

• 국가초고성능컴퓨팅 10대 전략 분야*에서 초고성능컴퓨팅 기술을 활용하여 그간의 난제를 해결하거나 성과를 획기적으로 제고할 수 있는 연구지원

* ①소재·나노 ②생명·보건 ③ICT ④기상·기후·환경 ⑤자율주행 ⑥우주 ⑦핵융합·가속기 ⑧제조기반기술 ⑨재난·재해 ◯10국방·안보

’22~’29/

 470억원

36억원

초고성능컴퓨팅 SW 생태계 조성

엑사스케일급 초고성능컴퓨터 활용을 위한 SW 원천기술을 확보하여 국가 초고성능컴퓨팅 전략분야에서의 경쟁력 제고

• 엑사스케일 시대 대비 국가 초고성능컴퓨팅 10대 전략 분야를 중심으로 전문화된 초고성능컴퓨팅 기반 및 응용 SW 개발 및 국가 차원의 초고성능컴퓨팅 SW 지원체계 마련

’23~’29/

480억원

20억원

국가 플래그십 초고성능컴퓨팅 인프라 고도화

세계 10위 수준의 초고성능컴퓨팅 인프라의 선제적 확보·운영으로 국내 과학난제 해결 및 인공지능 기반 신산업 성장 지원

• 국가 거대연산 수요 대응 및 국가센터 위상에 부합하는 시스템 아키텍처 설계 및 연산자원량 제공

• HPC 설치·운영을 위한 공간 및 기반시설(수배전, 냉각 등) 구축·관리

• 안정적 운영환경 구축 및 편리한 사용자 서비스 환경 제공

’23~’28/

2,929억원

182억원

소계

280억원

초전도체

(1)

고온초전도 마그넷 기술개발

초전도 분야의 기술적 난제 해결이 가능한 ‘무절연 고온초전도 자석기술’의 원천연구 지원을 통한 기술 선점 및 미래 新시장 창출

• (핵심기술) 무절연 고온 초전도를 다양한 응용 분야에 활용하기 위한 플랫폼(표준모델)으로서 4대 형상의 마그넷 핵심기술 개발

• (기반기술) 소재 및 냉각, 통합 설계·제작 등 무절연 고온 초전도 마그넷 기반기술 개발

’22~’26/

464억원

72억원

소계

72억원

       합계

1,324억원