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2025년 대한민국최고과학기술인상 수상자에 ‘황철성 서울대 석좌교수’ 선정

작성자 : 관리자 작성일 : 2025-07-04

 

 

2025년 대한민국최고과학기술인상 수상자에

‘황철성 서울대 석좌교수’ 선정

메모리 반도체 집적 한계 극복을 위한

 미래 메모리 소자 연구 및 반도체 인력 양성에 기여

 

 

 

  과학기술정보통신부(장관 유상임이하 ‘과기정통부’)와 한국과학기술단체연합회(회장 이태식)는 2025년 「대한민국최고과학기술인상」 수상자로 황철성 서울대학교 석좌교수를 선정했다고 밝혔다.

 

  대한민국최고과학기술인상은 우리나라를 대표하는 연구성과를 이룬 과학기술인을 발굴하여 국민에게 널리 알리고명예와 자긍심을 높이고자 2003부터 시상해 온 국내 최고 권위의 과학기술인상이다.

 

  올해 대한민국최고과학기술인상의 경우 지난해 말부터 공모와 발굴추천을 통해 접수된 후보자를 대상으로 3단계 심사과정(전공자심사 – 분야심사 – 통합심사)을 거쳐 최종 수상자 1명을 선정하였다. 수상자는 연구개발 업적뿐 아니라 우리나라 경제발전 기여도, 국민 생활 향상에 미친 영향 등을 종합 평가하여 선정되었으며, 지난해까지 총 47명이 수상하였다.

 

  2025년 수상자로 선정된 황철성 교수는 기존 디램(DRAM), 낸드플래시(NAND flash) 등의 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 크게 기여했으며특히 저항 스위칭 재료 및 소자 분야의 선구적 업적으로 국가 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다.

 

  황철성 교수는 동료 교수들과의 협력 연구를 통하여 “플래티넘/이산화티타늄/플래티넘 구조(Pt/TiO2/Pt) 시스템” 내의 나노 필라멘트를 직접적으로 분석하여 저항 변화 메모리 소자의 전환 작동방식(메커니즘) 감산소 마그넬리상 (Magnéli phase) 티타늄산화물(TinO2n-1필라멘트의 형성과 붕괴로 발생한다는 것을 최초로 확인하였다해당 연구는 2010년 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology) 발표된 이후 현재까지 2,450회 이상 인용되며저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도수 상위 다섯 번 째 내 논문으로 자리매김하였다.

 

 

  이 외에도 황철성 교수는 과학논문인용색인(SCI) 논문 750편을 발표하고국내외 특허 227(142건 출원, 85건 등록)과 기술 이전 16건 등 학술 연구뿐만 아니라 지속적 산·학 협력 등을 통해 반도체 산업 발전에도 크게 공헌하고 있다. 또한최근에는 인간의 뇌처럼 작동하는 뉴런모방형(뉴로모픽반도체 개발 연구에 힘쓰고 있어 향후 지속 가능한 반도체 분야 기술 개발에 기여할 것으로 기대된다.

 

  서울대학교 무기재료공학과에서 학··박사를 마친 황철성 교수는 삼성전자 반도체연구소에서 선임연구원으로 근무한 뒤, 1998년부터 모교 재료공학부 교수로 재직해 왔으며현재까지 석사 65박사 100명을 배출하는 등 세대 반도체 분야 전문 인력 양성에 기여하고 있다.

 

  과기정통부는 오는 7월 9(한국과학기술회관에서 개최하는 2025 세계 한인 과학기술인대회* 개회식에서 수상자에게 대통령 상장과 상금 3억원을 수여할 계획이다.

전세계 한인과학기술인의 최대 교류의 장으로 과기정통부 주최과총과 19  재외한인과학기술자협회 주관으로 7.8()~10()까지 한국과학기술회관에서 개최